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BGA7L1N6E6327XTSA1

INFINEON SP001109134

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Description: SiGe Low noise amplifier LTE Fabricante: INFINEON Código de coincidencia (matchcode): BGA7L1N6 E6327 Rutronik No.: THF5266 Unidad de embalaje: 15000 MOQ: 15000 Encapsulado: TSNP-6-2 Presentación: REEL
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Automoción
NO
Encapsulado
TSNP-6-2
RoHS Status
RoHS-conform
Embalaje
REEL
Artículo fabricante
SP001109134
ECCN
EAR99
Número de tarifa aduanera
85423390000
País
Malaysia
Plazo de entrega del proveedor
100 Semanas

Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE

Summary of Features:

  • Insertion power gain: 13.3 dB
  • Low noise figure: 0.90 dB
  • Low current consumption: 4.4 mA
  • Operating frequencies: 728 - 960 MHz
  • Supply voltage: 1.5 V to 3.3 V
  • Digital on/off switch (1V logic high level)
  • Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF Silicon Germanium technology
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Only 1 external SMD component necessary
  • 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
  • Pb-free (RoHS compliant) package

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