FZ825R33HE4DBPSA1
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Description:
1xIGBT-MOD 3300V 825A IHVB130
Fabricante:
INFINEON
Código de coincidencia (matchcode):
FZ825R33HE4D
Rutronik No.:
IGBT2994
Unidad de embalaje:
2
MOQ:
2
Encapsulado:
IHVB130
Presentación:
TRAY
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Muestras
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- V(CE)
- 3300 V
- I(C)
- 825 A
- td(on)
- 1650 ns
- P(tot)
- 150 W
- t(r)
- NO ns
- V(CEsat)
- NO V
- Mounting
- IGBT4-E4
- Automoción
- NO
- Encapsulado
- IHVB130
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Embalaje
- TRAY
- Artículo fabricante
- SP005550793
- ECCN
- EAR99
- Número de tarifa aduanera
- 85412900000
- País
- Germany
- Clave-ABC
- A
- Plazo de entrega del proveedor
- 54 Semanas
3300 V, 825 A single switch IGBT module
Applications
IHV-B 3300 V, 3300 V, 825 A 130 mm single switch IGBT Module with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. The experienced solution for traction and industry applications.
Summary of Features
- High DC stability
- Best in class short circuit capability
- Low switching losses
- Tvj op = 150°C
- VCEsat with positive temperature coefficient
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- Package with CTI > 600
- Isolated base plate
- Diode Power 30% higher than IGBT
Benefits
- Unbeatable robustness
- Standardized housing
- 2 times higher Power Cycling Capability than Infineon IGBT3 and any competition 3.3 kV IHV
- Easy replacement of FZ1000R33HE3 and FZ800R33KF2C and as well any competition 800 to 1000 A 3.3 kV devices possible on high performance and housing compatibility
- Bigger Diode enables e.g. increased braking Power at traction applications
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