IGB20N65S5ATMA1
La imagen puede diferir del original
Description:
IGBT 650V 20A 1.35V TO263-3
Fabricante:
INFINEON
Código de coincidencia (matchcode):
IGB20N65S5
Rutronik No.:
IGBT2471
Unidad de embalaje:
1000
MOQ:
1000
Encapsulado:
TO263-3
Presentación:
REEL
Buscar alternativas
Hoja de datos
Insertar en lista de proyectos
Muestras
Hoja de datos
Insertar en lista de proyectos
Muestras
Download the free Library Loader to convert this file for your ECAD Tool
- V(CE)
- 650 V
- I(C)
- 40 A
- V(CEsat)
- 1.35 V
- Encapsulado
- TO263-3
- Bodydiode
- NO
- P(tot)
- 125 W
- Automoción
- NO
- t(r)
- 14 nS
- td(off)
- 115 nS
- td(on)
- 13 nS
- Montaje
- SMD
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Tecnología
- TRENCHST.5
- Embalaje
- REEL
- Artículo fabricante
- SP001502564
- ECCN
- EAR99
- Número de tarifa aduanera
- 85412900000
- País
- Malaysia
- Clave-ABC
- B
- Plazo de entrega del proveedor
- 21 Semanas
Description:
Summary of Features
- Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C, 20% lower than TRENCHSTOP™ 5 H5
- I C(n)=four times nominal current (100°C Tc)
- Soft current fall characteristics with no tail current
- Symmetrical, low voltage overshoot
- Gate voltage under control (no oscillation). No risk of unwanted turn-on of device and no need for gate clamping
- Maximum junction temperature Tvj=175°C
- Qualified according to JEDEC standards
Benefits
- VCE(peak) clamping circuits not required
- Suitable for use with single turn-on / turn-off gate resistor
- No need for gate clamping components
- Gate drivers with Miller clamping not required
- Reduction in the EMI filtering needed
- Excellent for paralleling
Puede pedir definitivamente los artículos de la cesta de compra o en caso que tenga alguna duda, enviar como consulta sin compromiso.
Rutronik24 es un portal de comercio electrónico solo para empresas y clientes corporativos
