BSZ180P03NS3GATMA1
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Description:
P-CH 30V 39,6A 13,5mOhm S3O8
Fabricante:
INFINEON
Código de coincidencia (matchcode):
BSZ180P03NS3 G
Rutronik No.:
TMOS3535
Unidad de embalaje:
5000
MOQ:
5000
Encapsulado:
TSDSON-8
Presentación:
REEL
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- Configuration
- P-CH
- V(DS)
- 30 V
- I(D)at Tc=25°C
- 39.6 A
- RDS(on)at 10V
- 13.5 mOhm
- Q(g)
- 20 nC
- P(tot)
- 40 W
- R(thJC)
- 3.1 K/W
- Logic level
- NO
- Mounting
- SMD
- Technology
- OptiMOSP3
- Fast bodydiode
- NO
- Automoción
- NO
- Encapsulado
- TSDSON-8
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Embalaje
- REEL
- Artículo fabricante
- SP000709744
- ECCN
- EAR99
- Número de tarifa aduanera
- 85412900000
- País
- Malaysia
- Clave-ABC
- B
- Plazo de entrega del proveedor
- 16 Semanas
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Summary of Features
- Enhancement mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
Target Applications
- Consumer
- DC-DC
- eMobility
- Motor control
- Notebook
- Onboard charger
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