SP001100622

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Description: N-CH 800V 1,9A 2800mOhm TO251-3 Fabricante: INFINEON Código de coincidencia (matchcode): IPU80R2K8CE Rutronik No.: TMOSP11339 Unidad de embalaje: 75 MOQ: 1500 Encapsulado: TO-251 Presentación: TUBE

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Parámetros

Configuration: N-CH
V(DS): 800 V
I(D)at Tc=25°C: 1.9 A
RDS(on)at 10V: 2800 mOhm
Q(g): 12 nC
P(tot): 42 W
R(thJC): 3 K/W
Logic level: NO
Mounting: THT
Technology: CoolMOS CE
Fast bodydiode: NO
Automoción: NO
Encapsulado: TO-251
RoHS Status: RoHS-conform
Embalaje: TUBE

ECCN: EAR99
Número de tarifa aduanera: 85412900000
País: Malaysia
Clave-ABC: C
Plazo de entrega del proveedor: 8 Semanas

Descripción

800V CoolMOS™ CE is Infineon’s high performance device family offering 800 Volts break down voltage. The CE targets Consumer Electronics applications as well as Lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS™ family, Infineon combines long experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. Summary of Features

Low specific on-state resistance (R DS(on)*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @ 400V
Low gate charge (Q g)
Field-proven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998

Benefits

High efficiency and power density
Outstanding price/performance
High reliability
Ease of use

Target Applications

LED Lighting

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Ultima posibilidad de pedido al fabricante: 30.11.2016

Precio por unidad

0,308 $

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		SP001593932 N-CH 800V 1,9A 2800mOhm TO251-3 N.º de artículo: TMOS1446 Encapsulado: TO-251 Presentación: TUBE	Precio por unidad 0,3548 $ Unidad de embalaje 75	Disponibilidad 54 Semanas Pieza obsoleta	Precios, plazos de entrega Buscar alternativas Hoja de datos