BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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Description:
NPN RF-Trans 1,80V 35mA TSLP-3
Fabricante:
INFINEON
Código de coincidencia (matchcode):
BFR 840L3RHESD E6327
Rutronik No.:
THF5338
Unidad de embalaje:
15000
MOQ:
15000
Encapsulado:
TSLP-3
Presentación:
REEL
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- Polaridad
- NPN
- Frec. F
- 5000 MHz
- P(out)
- 0.075 W
- Encapsulado
- TSLP-3
- Automoción
- NO
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Embalaje
- REEL
- Artículo fabricante
- SP000978848
- ECCN
- EAR99
- Número de tarifa aduanera
- 85412100000
- País
- China
- Plazo de entrega del proveedor
- 8 Semanas
The BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.
Summary of Features
- Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power, 1.5kV HBM ESD hardness
- High transition frequency fT = 75 GHz to enable best in class noise performance at high frequencies: Nfmin = 0.65 dB at 5.5 GHz, 1.1 dB at 12 GHz, 1.8 V, 10 mA
- High gain Gms = 22 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
- OIP3 = 18 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
- Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V (2.85 V, 3.3 V, 3.6 V require a corresponding collector resistor)
- Low profile and small form factor leadless package
Potential Applications
- Wireless communications: WLAN 2.4 GHz and 5-6 GHz bands, WiMAX and UWB
- Satellite communication systems: satellite radio (SDARs, DAB), navigation systems (e.g. GPS, Glonass, Beidou, Galileo)
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