IDM02G120C5XTMA1
La imagen puede diferir del original
Description:
SiC-D 2A 1200V 1,65V TO252-2
Fabricante:
INFINEON
Código de coincidencia (matchcode):
IDM02G120C5
Rutronik No.:
DSKY5031
Unidad de embalaje:
2500
MOQ:
2500
Encapsulado:
TO252
Presentación:
REEL
Buscar alternativas
Hoja de datos
Insertar en lista de proyectos
Muestras
Hoja de datos
Insertar en lista de proyectos
Muestras
Download the free Library Loader to convert this file for your ECAD Tool
- V(RRM)
- 1200 V
- I(F)per diode
- 2 A
- I(FSM)
- 37 A
- V(F)
- 1.65 V
- Technology
- 5thinQ!SiC
- Automoción
- NO
- Encapsulado
- TO252
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Embalaje
- REEL
- Configuration
- SINGLE
- Mounting
- SMD
- T(j) max
- 175 °C
- Artículo fabricante
- SP001127112
- ECCN
- EAR99
- Número de tarifa aduanera
- 85411000000
- País
- Malaysia
- Clave-ABC
- A
- Plazo de entrega del proveedor
- 14 Semanas
The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 2 A in a DPAK real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.
Summary of Features
- Best-in-class forward voltage (VF)
- No reverse recovery charge
- Mild positive temperature dependency of VF
- Best-in-class surge current capability
- Excellent thermal performance
Benefits
- Highest system efficiency
- Improved system efficiency at low switching frequencies
- Increased power density at high switching frequencies
- Higher system reliability
- Reduced EMI
Puede pedir definitivamente los artículos de la cesta de compra o en caso que tenga alguna duda, enviar como consulta sin compromiso.
Rutronik24 es un portal de comercio electrónico solo para empresas y clientes corporativos
